特許

J-GLOBAL ID：200903040390493956

半導体装置用基板

発明者： 斉 藤 芳 彦 ,  久保田 裕 康
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-153720
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347256
出願日： 1992年06月12日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：

【要約】【目的】 超LSI用エピタキシャルウェーハの(100)基板面方位をある特定の範囲に限定することによりマイクロラフネスを最小に抑える。【構成】 (100)面からの基板の傾斜角を[011]方向または[011]方向に角度θ、および[011]方向または[011]方向に角度φだけ傾斜させる。角度θおよびφは30′≦θ,φ≦2°に設定する。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶(100)面基板ウェーハを用いたシリコンエピタキシャルウェーハにおいて、(100)面からの基板の傾斜角度を[011]方向または[011]方向に角度θだけ、および[011]方向または[011]方向に角度φだけ傾斜させたものであって、角度θおよびφが、30′≦θ≦2°かつ30′≦φ≦2°であることを特徴とする半導体装置用基板。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/02