特許

J-GLOBAL ID：200903040396632958

ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよび半導体チップの製造方法

発明者： 泉 達 矢 ,  高 橋 和 弘 ,  妹 尾 秀 男 ,  江 部 和 義
出願人/特許権者： リンテック株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 俊一郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-346441
公開番号（公開出願番号）：特開2003-147300
出願日： 2001年11月12日
公開日（公表日）： 2003年05月21日
要約：

【要約】【課題】 いわゆる先ダイシング法において、裏面研削中あるいは後に、一定のカーフ幅を維持でき、しかも剥離用テープの取り付けが容易な表面保護シートおよびその使用方法を提供すること。【解決手段】 本発明に係るウエハ裏面研削時の表面保護シートは、半導体回路が形成されたウエハ表面からそのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成し、その後上記半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハの厚みを薄くするとともに、最終的には個々のチップへの分割を行なうウエハ裏面研削において用いられる半導体ウエハの表面保護シートであって、基材と、その上に形成された粘着剤層とからなり、該基材が、2層以上の構成層を有し、第1の構成層の厚みが、10〜300μmであり、かつそのヤング率が3000〜30000N/m2であり、第2の構成層の、DSCで測定したガラス転移点が70°C以下であり、前記第2の構成層が最外層として形成されてなることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

半導体回路が形成されたウエハ表面からそのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成し、その後上記半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハの厚みを薄くするとともに、最終的には個々のチップへの分割を行なうウエハ裏面研削において用いられる半導体ウエハの表面保護シートであって、基材と、その上に形成された粘着剤層とからなり、該基材が、2層以上の構成層を有し、第1の構成層の厚みが、10〜300μmであり、かつそのヤング率が3,000〜30,000 N/m2であり、第2の構成層の、DSCで測定したガラス転移点が70°C以下であり、前記第2の構成層が最外層として形成されてなることを特徴とする表面保護シート。

IPC (3件)：

C09J 7/02 ,  B32B 7/02 ,  H01L 21/301

FI (4件)：

C09J 7/02 Z ,  B32B 7/02 ,  H01L 21/78 P ,  H01L 21/78 Q

Fターム (38件)：

4F100AK06B ,  4F100AK25G ,  4F100AK41A ,  4F100AK42A ,  4F100AK45A ,  4F100AK46A ,  4F100AK49A ,  4F100AK51G ,  4F100AK54A ,  4F100AK55A ,  4F100AK56A ,  4F100AK57A ,  4F100AT00A ,  4F100AT00B ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10B ,  4F100BA10C ,  4F100GB41 ,  4F100JA05B ,  4F100JK07A ,  4F100JL05 ,  4F100JL13C ,  4F100YY00A ,  4F100YY00B ,  4J004AA01 ,  4J004AA05 ,  4J004AA08 ,  4J004AA10 ,  4J004AA11 ,  4J004AB01 ,  4J004AB06 ,  4J004CA04 ,  4J004CA06 ,  4J004CC03 ,  4J004DB03 ,  4J004FA04 ,  4J004FA05