特許
J-GLOBAL ID：200903040402880543
窒化シリコンのエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-198311
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064574
出願日： 1995年08月03日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【課題】 より高い初期のエッチング選択性を有する窒化シリコンのエッチング方法を提供する。【構成】 リン酸、硝酸およびフッ化水素酸を有し、また酸化シリコンに対して窒化シリコンまたはシリコンを選択的に取り除くために使用されるエッチング浴は、初期の浴にシリコンが加えられたときに初期の選択性が増大される。シリコンは、ヘキサフルオロケイ酸とアンモニアフルオロケイ酸塩のような溶性シリコン化合物の形で加えられる。
請求項（抜粋）：
酸化シリコン面を形成する工程と、前記酸化シリコン面上にストラクチャを形成する工程とからなり、前記ストラクチャは少なくとも1つの層からなり、前記層はシリコンと窒化シリコンからなる群から選ばれた材料からなり、さらに、リン酸、フッ化水素酸、および硝酸からなるエッチング浴内でのエッチングにより前記酸化シリコンに対して前記ストラクチャを選択的に取り除く工程と、前記取り除きの前に前記浴に溶性シリコンを加える工程とからなることを特徴とする集積回路の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/306
, C23F 1/30
, C30B 29/38
, C30B 33/10
