特許
J-GLOBAL ID：200903040406855101
エピタキシャル基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志波 邦男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-034358
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232057
出願日： 1993年01月30日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 エピタキシャル層表面に突起状欠陥が無く、面取り部とエピタキシャル表面境界部付近及び裏面境界部付近にエッジクラウンの無いシリコンエピタキシャル基板の製造方法を提供する。【構成】 面取り加工及び鏡面加工済の半導体単結晶基板11上にエピタキシャル層12を成長したエピタキシャル基板の周縁部を再度面取り加工して前記周縁部に生成したエッジクラウン13を除去する。次に前記エピタキシャル層12面に生成した突起状欠陥14を除去する。最後に前記エピタキシャル基板を再度鏡面研磨して前記突起状欠陥の除去工程で生じた歪層15を除去する。
請求項（抜粋）：
面取り加工及び鏡面加工済の半導体単結晶基板上にエピタキシャル層を成長したエピタキシャル基板の周縁部を再度面取り加工して前記周縁部に生成したエッジクラウンを除去する工程と、前記エピタキシャル層面に生成した突起状欠陥を除去する工程と、前記エピタキシャル層面を再度鏡面研磨加工するとともに前記突起状欠陥除去工程で前記エピタキシャル層面に生じた歪層を除去する工程とを有することを特徴とするエピタキシャル基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/02
, H01L 21/304 301
