特許
J-GLOBAL ID：200903040410479203
プラズマCVD装置用電極及びその形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 陽一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-263260
公開番号（公開出願番号）：特開平5-070959
出願日： 1991年09月13日
公開日（公表日）： 1993年03月23日
要約：
【要約】【目的】 プラズマCVD装置に於て、電極上に形成する膜の剥離によるパーティクル発生を防止する電極及びその形成方法を提供する。【構成】 絶縁材料により平板上の構造物11を形成し、前記構造物中に導電性材料より成る電極板13を埋め込み、ガス導入孔12を備えることによって、電極と形成される膜の接触面の熱膨張係数が、前記膜の熱膨張係数と等しい電極が得られる。
請求項（抜粋）：
基板上に絶縁膜を成膜するプラズマCVD装置用電極であって、多数の孔を有する電極を絶縁材内に形成すると共に、前記絶縁材に複数のガス導入孔を設けたことを特徴とするプラズマCVD装置用電極。
IPC (3件)：
C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/31
