特許
J-GLOBAL ID：200903040418433776
面発光型半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
片寄 恭三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-127681
公開番号（公開出願番号）：特開2003-324250
出願日： 2002年04月26日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：
【要約】【課題】 レーザ素子の寿命を改善した選択酸化層構造を有する面発光型半導体レーザおよびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明に係る面発光レーザは、ポスト構造のレーザ素子部にAlAsを含む半導体層の一部をAl酸化層18aに酸化させた電流狭窄層18と、電流狭窄層18の上下にAl酸化層18aの格子定数に近い格子定数を有する半導体層として、In、P、AlあるいはGaの物質が添加された半導体層またはこれら物質の混晶からなる半導体層を結晶欠陥減少層19として設ける。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に設けられた第1、第2の半導体多層ミラー層と、前記第1と第2の半導体多層ミラー層間に設けられた活性層と、前記第1と第2の半導体多層ミラー層間に設けられ、少なくともAlを含む半導体層の一部をAl酸化層に酸化させた電流狭窄層と、前記電流狭窄層の少なくとも上下いずれかに前記第1または第2の半導体多層ミラー層の格子定数よりも大きく前記Al酸化層の格子定数よりも小さい格子定数を有する半導体層とを備えた面発光型半導体レーザ。
Fターム (6件)：
5F073AA51
, 5F073AA65
, 5F073AB17
, 5F073CA05
, 5F073CA14
, 5F073EA28
