特許
J-GLOBAL ID：200903040430339092
半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-014549
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306787
出願日： 1996年01月30日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【課題】 層間SOG膜に含まれる水分の影響で下層配線が劣化することを防止し、配線としての信頼性を向上させること。【解決手段】 下層金属配線5に柱状の突起部6を形成し、下層金属配線5及び突起部6の周囲をシリコン酸化膜7で覆い、下層金属配線5及び突起部6をSOG膜8で覆い、エッチバックにより突起部6の上面を露出させ、突起部6を介して、電気的に接続されるAl合金配線9を形成する。こうすることで、Si酸化膜7がSOG膜8に僅かに含まれる水分や水酸基を遮断するので、下層金属配線5が水分で劣化しにくくなる。
請求項（抜粋）：
配線とそれを覆う第1の絶縁膜との境界面に、前記第1の絶縁膜よりも耐水性の高い第2の絶縁膜を介在させたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/316
H01L 21/90 M
, H01L 21/316 M
, H01L 21/90 B
