特許
J-GLOBAL ID：200903040432987822
化合物半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-348032
公開番号（公開出願番号）：特開平9-167856
出願日： 1995年12月15日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：
【要約】【課題】 発光ダイオードにおけるAlGaAs半導体領域のAlの電極表面への析出を防止する。【解決手段】 AlGaAs層7の上の電極8をAuGeNi層8a、Au層8b、Al拡散障壁層としてのTiNO層8c、Ti層8d、及びAu層8eで構成する。TiNO層8cは Ti 15〜30原子%N 45〜80原子%O 5〜25原子%の組成にする。
請求項（抜粋）：
Alを含む化合物半導体領域上に電極を有する化合物半導体素子において、前記電極が、前記化合物半導体領域にオーミック接触しているオーミック接触層と、Alの拡散を阻止するために前記オーミック接触層の上に形成されたTi(チタン)とN(窒素)とO(酸素)とを含有する拡散障壁層と、金属リード部材を接続することができる材料によって前記拡散障壁層の上に形成された接続用金属層とを有していることを特徴とする化合物半導体素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 B
, H01L 33/00 E
