特許
J-GLOBAL ID：200903040435374902
強誘電体記憶素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-130920
公開番号（公開出願番号）：特開平5-327062
出願日： 1992年05月22日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 強誘電体薄膜から半導体表面への不純物の拡散を防ぎ、素子の動作の安定化、素子の歩留りの著しい向上及び安価な素子を提供すること。【構成】 一方の導電形のバルク半導体材料からなる基板1の表面層に十分に接近させた間隔をおいて形成された、前記基板とは反対の導電形の2つの領域2及び3と、これら2つの領域をまたぐように前記基板の表面に誘電体膜4と、該誘電体膜4上に第1の下部電極5が形成されてなり、前記基板1、導電形領域2及び3、誘電体膜4及び第1の下部電極5とを被うように絶縁保護膜6を形成し、前記第1の下部電極5上に絶縁保護膜6を通して、前記第1の下部電極5と電気的に接触させた第2の下部電極8を前記絶縁保護膜6上に形成し、前記第2の下部電極8上に強誘電体薄膜9を形成し、該強誘電体薄膜9上に上部電極10を形成することによって強誘電体記憶素子を形成する。
請求項（抜粋）：
一方の導電形のバルク半導体材料からなる基板と、該基板の表面層に形成された、2つの独立な前記基板とは反対の導電形の領域と、これら2つの領域をまたぐように前記基板の表面に形成された誘電体膜と、該誘電体膜上に形成された第1の下部電極と、前記導電形領域及び前記誘電体膜及び前記第1の下部電極を被うように形成された絶縁保護膜と、前記第1の下部電極上の前記絶縁保護膜に形成された窓を通して前記第1の下部電極と電気的に接触されて前記絶縁保護膜上に形成された第2の下部電極と、該第2の下部電極上に形成された強誘電体薄膜と、該強誘電体薄膜上に形成された上部電極とからなることを特徴とする強誘電体記憶素子。
IPC (3件)：
H01L 49/00
, H01L 29/788
, H01L 29/792
