特許

J-GLOBAL ID：200903040436616306

半導体装置の製造方法

発明者： 長沼 健
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-342440
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169728
出願日： 1993年12月14日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】 ゲート酸化膜の表面を削り取ることなく清浄化する。【構成】 ゲート酸化膜3の形成後、ウェハ全体を純水に浸漬し、ゲート酸化膜3の表面を清浄化する。

請求項（抜粋）：

薄膜を形成後、その薄膜の表面を純水に接触させて清浄化することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 J ,  H01L 29/78 301 G