特許
J-GLOBAL ID：200903040445323982
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-316988
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163535
出願日： 1992年11月26日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 Al配線とゲート電極を確実に絶縁でき、しかも、素子を小型化できる半導体装置の構造およびその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 p形シリコン基板2の表面のゲート酸化膜14上に、ポリシリコン層16とWSi2層18の二層膜構造のゲート電極膜20を形成する。さらに、上部に、CVD法により第一シリコン窒化膜22、シリコン窒化膜保護用酸化膜24を順次堆積する。シリコン窒化膜保護用酸化膜24からゲート電極膜20までをエッチングしてゲート電極21等を得た後、これらの側面にシリコン窒化膜サイドウォール30を形成する。この後、ウエーハ全面を層間絶縁用酸化膜34で覆ってコンタクトホール35を形成し、Al配線36を設けて配線パターンを形成する。ゲート電極21は、第一シリコン窒化膜22によりAl配線36から確実に絶縁される。
請求項（抜粋）：
シリコン基板に設けられた第一導電型の第一の領域、第一の領域と隣り合ってシリコン基板に設けられた第二導電型の第二の領域第一の領域の上に酸化絶縁膜を介して設けられた導電膜、導電膜の上の第一の絶縁膜、導電膜および第一の絶縁膜の側面に形成された第二の絶縁膜、少なくとも第二の領域上に開口部を有する第三の絶縁膜、第三の絶縁膜の上に設けられ、開口部に達する配線、を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/318
, H01L 21/90
, H01L 27/108
