特許

J-GLOBAL ID：200903040450596520

半導体レーザ装置

発明者： 篠原 しのぶ
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-061506
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260763
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】発振横モードを安定的に制御できないとともに、その切り替えができず、また偏波面の制御が任意の電流値で、かつ、任意の共振器(導波路)断面形状で行なうことができないこと。【解決手段】半導体基板(1) 上に、下部分布ブラッグ反射器(2) 、N形下部半導体クラッド層(3) 、活性層(4) 、P形半導体クラッド層(5) 、P型上部半導体多層膜からなる上部分布ブラッグ反射器(6) を順次積層し、これらの一部を基板面に垂直な軸を有する柱状に形成した導波路(8) を有し、前記上部分布ブラッグ反射器(6) 上に設けられ、前記活性層(4) に電流を注入するP型金属電極(11)を有する半導体レーザ装置において、前記上部分布ブラッグ反射器(6) と前記P型金属電極(11)との接触部分は、前記導波路(8) を基板面と垂直に上部に延長した領域より面積が小さく、かつ前記領域の内側に配置されていることを特徴とする半導体レーザ装置。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、少なくとも、下部半導体多層ミラー層、下部半導体クラッド層、化合物半導体よりなる活性層、上部半導体クラッド層、半導体多層膜又は誘電体多層膜又は金属膜あるいはこれらの複合膜よりなる上部ミラー層を順次積層し、これらの一部又は全部を、基板面に垂直な軸を有する柱状に形成した導波路を有し、前記活性層又は前記上部半導体クラッド層又は前記上部ミラー層上に設けられ、前記活性層に電流を注入する第1の電極を有する半導体レーザ装置において、前記活性層又は前記上部半導体クラッド層又は前記上部ミラー層と前記第1の電極との接触部分は、前記導波路を基板面と垂直に上部に延長した領域より面積が小さく、かつ前記領域の内側に配置されていることを特徴とする半導体レーザ装置。