特許
J-GLOBAL ID：200903040451700054
アクティブマトリクス基板の製造方法,アクティブマトリクス基板および液晶表示装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-337875
公開番号（公開出願番号）：特開平10-206896
出願日： 1997年11月21日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 本発明の目的の一つは、新規な薄膜デバイスの転写技術を用いてアクティブマトリクス基板を形成する際に、問題となる製造上の不都合を排して、アクティブマトリクス基板の現実の製造を可能とすることである。【解決手段】 転写元の基板上に薄膜トランジスタならびに画素電極を形成するに際し、画素電極(1700)を形成する前に、後の工程で問題となる層間絶縁膜等の絶縁体層を、あらかじめ除去しておく。これにより、デバイスを転写体(1900)に転写した後、転写元基板を離脱させると、画素電極の一部が表面または表面近傍にあらわれる。この部分(1702)が液晶(460)への電圧印加を可能とする。
請求項（抜粋）：
マトリクス状に配置された走査線と信号線とに接続された薄膜トランジスタ(TFT)と、その薄膜トランジスタの一端に接続された画素電極とを含んで画素部が構成されるアクティブマトリクス基板を製造する方法であって、基板上に分離層を形成する工程と、前記分離層上に前記薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタおよび前記分離層の上に絶縁膜を形成する工程と、前記画素電極を形成するべき領域における前記絶縁膜の少なくとも一部を選択的に除去する工程と、前記絶縁膜の少なくとも一部が除去された領域において画素電極を形成する工程と、前記薄膜トランジスタを、接着層を介して転写体に接合する工程と、前記基板を前記分離層から離脱させる工程と、を具備し、これにより、前記転写体を新たな基板とするアクティブマトリクス基板を製造することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/786
, H01L 21/336
G02F 1/136 500
, H01L 29/78 612 C
, H01L 29/78 621
, H01L 29/78 626 C
, H01L 29/78 627 D
