特許
J-GLOBAL ID：200903040453063744
シリコンウェーハの表面近傍に存在する八面体状酸素析出物の推定方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-253632
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124984
出願日： 1994年10月19日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】 シリコンウェーハの表面近傍に存在する各種結晶欠陥の中から八面体状の酸素析出物を選択的・定量的かつ簡便に推定する。【構成】 シリコンウェーハを希フッ酸に浸漬してウェーハ表面に露出した各種結晶欠陥のうちの少なくとも八面体状酸素析出物を溶解する工程1と、このウェーハ表面を洗浄する工程2と、このウェーハ表面に熱酸化膜を形成する工程3と、熱酸化膜上に所定面積の多結晶シリコン電極を所定個数形成する工程4と、所定個数の多結晶シリコン電極とウェーハの間で電極毎に電圧を印加して電極毎の酸化膜耐圧を測定する工程5と、電極毎の酸化膜耐圧値分布から多結晶シリコン電極全数中の耐圧不良の発生率Fを求める工程6と、-ln(1-F)=Nの式より電極1個当りに熱酸化膜に含まれる八面体状酸素析出物の平均個数Nを算出して八面体状酸素析出物の平均密度を推定する工程7とを含む。
請求項（抜粋）：
シリコンウェーハを希フッ酸に浸漬してウェーハ表面に露出した各種結晶欠陥のうちの少なくとも八面体状酸素析出物を溶解する工程(1)と、前記八面体状酸素析出物が溶解されたシリコンウェーハの表面を洗浄する工程(2)と、前記表面を洗浄したシリコンウェーハを酸素雰囲気で熱処理してウェーハ表面に熱酸化膜を形成する工程(3)と、前記熱酸化膜上に所定の面積を有する多結晶シリコン電極を所定個数形成する工程(4)と、前記所定個数の多結晶シリコン電極と前記シリコンウェーハとの間で前記電極毎に電圧を印加して電極毎の酸化膜耐圧を測定する工程(5)と、前記電極毎の酸化膜耐圧値の分布から前記多結晶シリコン電極全数中の耐圧不良の発生率Fを求める工程(6)と、次式(1)により前記電極1個当りに熱酸化膜に含まれる八面体状酸素析出物の平均個数Nを算出して八面体状酸素析出物の平均密度を推定する工程(7)と-ln(1-F)=N ......... (1)を含むシリコンウェーハの表面近傍に存在する八面体状酸素析出物の推定方法。
IPC (2件)：
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