特許

J-GLOBAL ID：200903040454223893

不揮発性記憶装置

発明者： 古川 浩章
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-316381
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163436
出願日： 1996年11月27日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】 情報書込み特性の時間経過に伴う劣化を防止しつつ、低消費電力化が実現できる不揮発性記憶素子を備えた不揮発性記憶装置の提供。【解決手段】 不揮発性記憶素子Mを備えた不揮発性記憶装置において、上下電極(チャネル形成領域1A、制御電極3)間に層状誘電体2A、強誘電体2Bのそれぞれを交互に複数積層した誘電体2を形成する。この誘電体2の強誘電体2Bは上下の層状誘電体2Aで挟み込まれる。さらに、電極と強誘電体2Bとの間には層状誘電体2Aが介在する。強誘電体2Bは残留分極が大きく、層状誘電体2Aは抗電界が大きい。層状誘電体2Aは強誘電体2Bの組成物質のイオン拡散を阻止する。

請求項（抜粋）：

不揮発性記憶素子を備えた不揮発性記憶装置において、互いに離間配置された第1電極及び第2電極と、前記第1電極と第2電極との間に形成され、少なくとも強誘電体と層状誘電体とを配列した誘電体と、を備え、前記不揮発性記憶素子の情報記憶部が前記第1電極、誘電体及び第2電極で構成されることを特徴とする不揮発性記憶装置。

IPC (11件)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 ,  G11C 16/04 ,  H01B 3/12 301 ,  H01B 3/12 303 ,  H01B 3/12 318 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (8件)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 ,  H01B 3/12 301 ,  H01B 3/12 303 ,  H01B 3/12 318 G ,  G11C 17/00 621 A ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371