特許

J-GLOBAL ID：200903040456747172

面発光型半導体レーザおよびその製造方法

発明者： 西田 哲朗 ,  平松 鉄夫
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-091969
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277309
出願日： 2004年03月26日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：

【課題】 放射角のより狭いレーザ光を出射することが可能な面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】 本発明に係る面発光型半導体レーザ100は,基板101と、基板101の上方に設けられた第1ミラー102と、第1ミラー102の上方に設けられた活性層103と、活性層103の上方に設けられた第2ミラー104と、を含み、第2ミラー104は、半導体多層膜からなり、第2ミラー104は、開口部を有する複数の絶縁層105を含み、各絶縁層105における開口部の開口径Ra、Rb、Rcは、活性層103側から上方に向かって小さくなる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板の上方に設けられた第1ミラーと、 前記第1ミラーの上方に設けられた活性層と、 前記活性層の上方に設けられた第2ミラーと、を含み、 前記第2ミラーは、半導体多層膜からなり、 前記第2ミラーは、開口部を有する複数の絶縁層を含み、 各前記絶縁層における前記開口部の開口径は、前記活性層側から上方に向かって小さくなる、面発光型半導体レーザ。

IPC (1件)：

H01S5/183

FI (1件)：

H01S5/183

Fターム (11件)：

5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AC34 ,  5F173AC35 ,  5F173AC36 ,  5F173AC42 ,  5F173AC52 ,  5F173AC53 ,  5F173AH02 ,  5F173AP67 ,  5F173AR55