特許
J-GLOBAL ID：200903040459568988
真空処理装置および方法
発明者：
,
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-313079
公開番号（公開出願番号）：特開平6-158314
出願日： 1992年11月24日
公開日（公表日）： 1994年06月07日
要約：
【要約】【目的】 ランプヒータによってウエハ等の基体を真空中で加熱する場合の温度制御性を改善することのできる真空処理技術を提供する。【構成】 真空処理中のウエハ1の温度を測定する赤外線放射温度計15と、ウエハ1を加熱するランプヒータ6と、ウエハ1の赤外線放射率を測定する手段と、この赤外線放射率に基づいて赤外線放射温度計15の校正を行う手段と、前記赤外線放射率に基づいてランプヒータ6の加熱条件を設定する手段とを備え、この加熱条件に従って予めウエハ1を加熱した後、ウエハ1に対して所定の真空処理を施す真空処理装置である。
請求項（抜粋）：
真空処理中の基体の温度を測定する手段としての1乃至複数の赤外線放射温度計と、前記基体を加熱するランプと、前記基体の赤外線放射率を測定する手段と、前記赤外線放射率に基づいて前記赤外線放射温度計の校正を行う手段と、前記赤外線放射率に基づいて前記ランプの加熱条件を設定する手段とを備えていることを特徴とする真空処理装置。
IPC (5件)：
C23C 14/50
, H01L 21/203
, H01L 21/26
, H01L 21/302
, H01L 21/316
