特許
J-GLOBAL ID：200903040464334936
電荷結合素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柿本 恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-272817
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114617
出願日： 1991年10月21日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：
【要約】【目的】 単層電極構造のCCDにおいて、電極ギャップ下に生じるポテンシャルディップを低減して転送効率を向上する。【構成】 半導体基板表面の絶縁膜51上に、複数の転送電極60が近接して配列された単層電極構造のCCDにおいて、各転送電極60の対向する側面に、導電性のサイドウォール70aをそれぞれ形成する。これにより、電極ギャップB2の寸法をホトリソグラフィー技術の限界の寸法よりもさらに微小にできる。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面の絶縁膜上に、複数の転送電極が近接して配列された単層電極構造の電荷結合素子において、前記各転送電極の対向する側面に、導電性のサイドウォールをそれぞれ形成したことを特徴とする電荷結合素子。
IPC (2件)：
H01L 21/339
, H01L 29/796
