特許
J-GLOBAL ID：200903040466115670
光電変換素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-356058
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158275
出願日： 2001年11月21日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：
【要約】【課題】 接合深さを浅くした場合の直列抵抗の増加を受光面積を減少させずに補償する。【解決手段】 エッチングによって表面の高濃度の不純物ドープ層を除去したn型半導体層2上に、絶縁膜3を形成する。こうして、n型半導体層2の表面におけるダングリングボンドの存在や不純物準位の存在等による少数キャリアの表面再結合を従来のバイオレットセルの場合よりも大幅に低減する。また、絶縁膜3にはコンタクト用開口部3aを形成し、絶縁膜3上およびコンタクト用開口部3a上の全面に透明導電膜4を形成する。こうして、n型半導体層2の薄膜化に伴って増加した直列抵抗を、受光面積を減少させることなく補償する。
請求項（抜粋）：
半導体層表面を受光面とする光電変換素子であって、上記半導体層表面に形成されると共に、開口部を有する絶縁膜と、上記開口部内および上記絶縁膜上を含む全面に形成されると共に、上記開口部を介して上記半導体層と電気的に導通する透明導電膜を備えたことを特徴とする光電変換素子。
Fターム (10件)：
5F051AA03
, 5F051CB15
, 5F051CB18
, 5F051CB22
, 5F051CB24
, 5F051CB27
, 5F051EA15
, 5F051FA04
, 5F051FA06
, 5F051GA04
