特許
J-GLOBAL ID：200903040466568292
試料作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-252897
公開番号（公開出願番号）：特開平9-096595
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：
【要約】【課題】 走査型電子顕微鏡(SEM)や透過型電子顕微鏡(TEM)で観察するための試料作成において、所望とする領域を精度よく迅速に加工できるようにすることを目的とする。【解決手段】 まず、観察対象とする所望の部分である指定箇所2が残るように、半導体基板1を研削加工して凸状の部分5を形成する。次いで、この凸状の部分5にTEM観察溝3を形成する。すなわち、エキシマレーザを用い、このビームを照射することで、所望の箇所を除去してTEM観察溝3を形成する。
請求項（抜粋）：
電子線を用いた構造解析のための試料作製方法において、前記試料の解析対象箇所近くの断面を露出させた後、前記試料の表面より、前記試料を透過しない波長400nm以下のレーザビームを、前記断面が露出した位置から照射して前記試料の表面に溝を形成することで、前記試料の解析対象箇所の断面を露出させることを特徴とする試料作製方法。
IPC (4件)：
G01N 1/32
, C23F 4/00
, C23F 4/02
, H01L 21/302
G01N 1/32 B
, C23F 4/00 C
, C23F 4/02
, H01L 21/302 Z
