半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石川泰男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-240040
公開番号（公開出願番号）：特開平5-081887
出願日： 1991年09月19日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】セル状態検出回路を有する電気的書き込み可能な半導体記憶装置に関し、セル状態検出において情報を消去後のセルの状態も正しい測定が可能となるようにすることを目的とする。【構成】情報記憶用のセルトランジスタを含む複数のセルを配設したメモリセルアレイ40と、セルトランジスタのゲートを選択するロウデコーダ20、前記セルトランジスタを流れる電流を検出して記憶されている情報を判定するセンス回路30と、を有する書き替え可能な半導体記憶装置であって、セル状態検出時に、前記ロウデコーダ20の出力電圧を切り替える電圧切替え手段1と、同じくセル状態検出時に、前記センス回路30におけるロード能力を実効的に切り替えるロード切替え手段2と、を備えて構成する。

請求項（抜粋）：

情報記憶用のセルトランジスタを含む複数のセルを配列したメモリセルアレイ(40)と、前記セルトランジスタのゲートを選択するロウデコーダ(20)と、前記セルトランジスタを流れる電流を検出して記憶されている情報を判定するセンス回路(30)と、を有する書き替え可能な半導体記憶装置であって、セル状態検出時に、前記ロウデコーダ(20)の出力電圧を切り替える電圧切替え手段(1)と、同じくセル状態検出時に、前記センス回路(30)におけるロード能力を実効的に切り替えるロード切替え手段(2)と、を有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/06 , H01L 27/112

FI (2件)：

G11C 17/00 309 E , H01L 27/10 433

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭63-026900
特開昭63-026900
特開平3-162796

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