特許
J-GLOBAL ID:200903040471859041
半導体圧力センサ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石田 長七 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-279432
公開番号(公開出願番号):特開平9-126920
出願日: 1995年10月26日
公開日(公表日): 1997年05月16日
要約:
【要約】【課題】実装スペースが比較的小さい半導体圧力センサを提供する。【解決手段】センサ本体1は、ダイアフラム24の上に歪ゲージ22を形成したセンサチップ20にガラスの台座25を接合することにより形成される。歪ゲージ22を形成したセンサチップ20の一面には歪ゲージ22に電気的に接続されたバンプ29が突設される。バンプ29は回路基板30に形成された回路パターン32にフェイスダウンボンディングにより実装される。
請求項(抜粋):
他の部位よりも薄肉に形成され圧力を受けて撓むダイアフラムを有しダイアフラム上の歪ゲージに電気的に接続された凸状電極が一面に突出する板状のセンサ本体と、基材の表面に薄肉の導電材による回路パターンが形成され周辺回路を構成する電子部品とともにセンサ本体が表面実装される回路基板とを備え、回路パターンにはセンサ本体の凸状電極の配列に一致するように配置された電極パッドが形成され、電極パッドに対して凸状電極がフェイスダウンボンディグにより接合されて成ることを特徴とする半導体圧力センサ。
引用特許:
審査官引用 (5件)
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特開昭58-107682
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半導体圧力センサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-153097
出願人:株式会社豊田自動織機製作所
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特開平4-312980
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半導体圧力センサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-334959
出願人:松下電器産業株式会社
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薄膜構造の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-107564
出願人:株式会社フジクラ
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