特許

J-GLOBAL ID：200903040473196988

半導体ウェーハの洗浄方法

発明者： 石山 弘 ,  佐藤 信昭
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-274911
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102343
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 低コストで、むら等の発生が抑制された有効な洗浄効果が得られ、自然環境に対して低負荷である半導体ウェーハの洗浄方法を提供する。【解決手段】 ?@ワンバス洗浄式半導体ウェーハ洗浄方法で、酸化性洗浄液による処理101を行い、希フッ酸による処理102を行い、リンス液103による処理を行う洗浄工程の組を、少なくとも2回繰り返して行い、その後、乾燥工程104を行う。?Aワンバス洗浄式半導体ウェーハ洗浄方法で、酸化性洗浄液による処理を行い、リンス液による処理を行い、希フッ酸による処理を行い、リンス液による処理を行う洗浄工程の組を、少なくとも2回繰り返して行い、その後、乾燥工程を行う。?Bバッチ式の半導体ウェーハの洗浄方法で、酸化性洗浄液による処理を行い、希フッ酸による処理を行う洗浄工程の組を、少なくとも2回繰り返して行い、その後、リンス液による処理を行い、その後乾燥工程を行う。

請求項（抜粋）：

ワンバス洗浄方式による半導体ウェーハの洗浄方法であって、酸化性洗浄液による処理を行い、その後希フッ酸による処理を行い、その後リンス液による処理を行う洗浄工程の組を、少なくとも2回繰り返して行い、その後、乾燥工程を行うことを特徴とするワンバス洗浄方式による半導体ウェーハの洗浄方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 642 ,  H01L 21/304 647 ,  B08B 3/08

FI (3件)：

H01L 21/304 642 A ,  H01L 21/304 647 Z ,  B08B 3/08 A

Fターム (12件)：

3B201AA03 ,  3B201AB08 ,  3B201AB44 ,  3B201BB04 ,  3B201BB05 ,  3B201BB89 ,  3B201BB92 ,  3B201BB93 ,  3B201BB96 ,  3B201CB12 ,  3B201CC01 ,  3B201CC11