圧電共振子及びその製造方法等

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-338037
公開番号（公開出願番号）：特開2004-048639
出願日： 2002年11月21日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【課題】薄膜が有する応力をきわめて小さいものにし、共振特性に優れた良品率の高い圧電共振子などを提供する。【解決手段】基板2と、基板2上に成膜されている絶縁膜4と、絶縁膜4上に形成されている、少なくとも1層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極7及び下部電極5を厚み方向で対向させて挟む構造の振動部8と、を含み、下部電極の算術平均粗さ(Ra)が2.5nm以下である。好ましくは、絶縁膜4の表面が、1.0nm以下の算術平均粗さ(Ra)を有しており、また、絶縁膜4の応力が、圧縮応力で250MPa以下であり、引張応力で400MPa以下に設定されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に成膜されている絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されている、少なくとも1層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極及び下部電極を厚み方向で対向させて挟む構造の振動部と、を含み、前記下部電極の算術平均粗さ(Ra)が2.5nm以下である、ことを特徴とする圧電共振子。

IPC (7件)：

H03H9/17 , H01L21/316 , H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/22 , H03H3/02 , H03H9/54

FI (9件)：

H03H9/17 F , H01L21/316 Y , H03H3/02 B , H03H9/54 Z , H01L41/08 L , H01L41/08 C , H01L41/22 Z , H01L41/18 101Z , H01L41/08 U

Fターム (16件)：

5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BF12 , 5F058BF17 , 5F058BJ02 , 5J108AA07 , 5J108BB07 , 5J108CC11 , 5J108DD01 , 5J108DD06 , 5J108KK01 , 5J108KK02 , 5J108KK07 , 5J108MM11 , 5J108MM14

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開平3-046504
圧電共振子、圧電フィルタ、デュプレクサ、通信装置および圧電共振子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-338036 出願人：株式会社村田製作所
金属層の上にピエゾ電子材料層が堆積された電子デバイスを製造する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-032114 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド

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