特許
J-GLOBAL ID:200903040475511643
磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気再生装置、及び磁性積層体
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
外川 英明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-286561
公開番号(公開出願番号):特開2001-160640
出願日: 2000年09月21日
公開日(公表日): 2001年06月12日
要約:
【要約】【課題】安価で高性能の磁気抵抗効果素子を提供することが可能である。また、薄膜化の素子を提供することができ、狭ギャップを要する磁気再生ヘッド、さらにハードディスクドライブ等の磁気再生システムに好適である。【解決手段】強磁性層の磁化を90度方向に結合する中間層35をピン層33、37間に挿入することにより、フリー層41を反強磁性体43で単磁区化するための熱処理と、ピン層の磁化を固着するための熱処理を同時に行う。これにより、フリー層41に接する反強磁性層43と、ピン層33に接する反強磁性層31のブロッキング温度に差が必要なくなるため、高交換結合磁場、高ブロッキング温度を有する反強磁性層を選択できる。また、交換結合磁場の分散に対する許容範囲が広がるため、反強磁性層の薄膜化が実現でき、狭ギャップを要する磁気再生ヘッドに適用できる。
請求項(抜粋):
第1方向の磁化を備える第1の強磁性層と、前記第1の強磁性層と積層形成された磁化結合層と、前記磁化結合層を介して前記第1の強磁性層と積層形成され、前記磁化結合層により前記第1の強磁性層と磁化結合されて前記第1方向と略直交方向の磁化を備える第2の強磁性層と、中間非磁性層と、前記中間非磁性層を介して前記第2の強磁性層と積層形成され、外部磁場がゼロの状態で第1方向と略同方向の磁化を備える第3の強磁性層とを備えることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (5件):
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/20
, H01F 10/32
FI (5件):
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/20
, H01F 10/32
, G01R 33/06 R
引用特許:
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