特許
J-GLOBAL ID：200903040477758697
コンタクトホールの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-131849
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299417
出願日： 1992年04月23日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、微細な孔パターンを有するエッチングマスクを形成することにより、半導体装置の製造プロセスにおける微細なコンタクトホールの形成を可能にする。【構成】 第1の工程で基板11上の絶縁膜12の上面に、当該絶縁膜12に対して十分な耐エッチング性を有する耐エッチング膜13を形成し、続いて第2の工程で耐エッチング膜13の上面にレジスト膜14を形成した後、当該レジスト膜14に第1の孔パターン15を形成する。次いで第3の工程でレジスト膜14をエッチングマスクにしたエッチングによって、耐エッチング膜13に第2の孔パターン16を形成する。その後第4の工程でレジスト膜14を除去した後、耐エッチング膜13をエッチングマスクにしたエッチングによって、絶縁膜12にコンタクトホール17を形成する
請求項（抜粋）：
基板上の絶縁膜の上面に、当該絶縁膜のエッチング処理に対して十分な耐エッチング性を有する耐エッチング膜を成膜する第1の工程と、前記耐エッチング膜の上面にレジスト膜を形成した後、当該レジスト膜に第1の孔パターンを形成する第2の工程と、前記レジスト膜をエッチングマスクにしたエッチングによって、前記耐エッチング膜に第2の孔パターンを形成する第3の工程と、前記レジスト膜を除去した後、前記耐エッチング膜をエッチングマスクにしたエッチングによって、前記絶縁膜にコンタクトホールを形成する第4の工程とよりなることを特徴とするコンタクトホールの形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/90
