特許

J-GLOBAL ID：200903040481663498

基台上の絶縁膜およびその製造方法

発明者： 宮廻 多聞
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-059795
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258095
出願日： 2002年03月06日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】 基台上の絶縁膜を一般的な低誘電率材料に比べて機械的強度に優れた低誘電率絶縁膜とする。【解決手段】 下層構造物10の上にエッチングストッパとなるSin膜11を介してシリコン酸化膜12を設け、ハニカムパターンのフォトレジストをマスクにエッチングにより多数の孔14を掘り、エッチングにより孔径を広げたハニカム状のシリコン酸化膜12aの孔15に低誘電率の絶縁材料を詰め込んで低誘電率絶縁膜構造とする。詰め込む低誘電率の絶縁材料は機械的強度が低いがハニカム状のシリコン酸化膜12aは機械的強度があるので、この低誘電率絶縁膜構造は機械的強度に優れたものとなる。しかして、例えば、この低誘電率絶縁膜構造に配線溝を掘り電解メッキ法で銅層を形成し余分な銅をCMPで平坦に除去して配線を作る際などのCMP圧力に耐えることができる。

請求項（抜粋）：

多数の垂直孔又は垂直溝が規則的配列かつ密集形態で設けられている孔又は溝付き絶縁膜を有することを特徴とする基台上の絶縁膜。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/762 ,  H01L 27/12

FI (5件)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/02 C ,  H01L 27/12 B ,  H01L 21/90 J ,  H01L 21/76 D

Fターム (38件)：

5F032AA03 ,  5F032AA06 ,  5F032CA17 ,  5F032DA02 ,  5F032DA23 ,  5F032DA54 ,  5F032DA67 ,  5F032DA71 ,  5F032DA78 ,  5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033LL08 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ33 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR29 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033TT00 ,  5F033XX00 ,  5F033XX24