特許
J-GLOBAL ID：200903040485226548
半導体製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-175738
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029898
出願日： 1993年07月15日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、低温処理でありながら極めて高い絶縁特性を有する酸化膜を形成することを可能とする高特性半導体の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体ウエハまたは金属薄膜表面を酸化し酸化膜を形成する工程において、不活性ガス及び酸素ガスを含む混合ガスのプラズマ雰囲気中で酸化膜を形成し、該酸化膜中に不活性ガスを含有させることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハまたは金属薄膜表面を酸化し酸化膜を形成する工程において、不活性ガス及び酸素ガスを含む混合ガスのプラズマ雰囲気中で酸化膜を形成し、該酸化膜中に不活性ガスを含有させることを特徴とする半導体製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/31
, C23C 14/10
, C30B 25/14
, H01L 21/316
