特許

J-GLOBAL ID：200903040487106000

光電変換素子の製造方法、光電変換素子および電子機器

発明者： 笠原 幸雄 ,  藤森 裕司 ,  宮本 勉
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (2件)： 増田 達哉 ,  朝比 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-010061
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221495
出願日： 2003年01月17日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：

【課題】デザイン性に優れる光電変換素子が得られる光電変換素子の製造方法、デザイン性に優れる光電変換素子、および、この光電変換素子を備える電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の光電変換素子の製造方法は、基板2上に、第1の電極3を形成する工程と、第1の電極3上に、緻密質層(緻密質な電子輸送層)41を形成する工程と、緻密質層41と接触するよう多孔質層(多孔質な電子輸送層)42を形成する工程と、多孔質層42と接触するよう色素層Dを形成する工程と、色素層Dと接触するよう正孔輸送層5を形成する工程と、正孔輸送層5上に、第2の電極6を形成する工程とを有し、第1の電極3、緻密質層41、多孔質層42、色素層D、正孔輸送層5および第2の電極6のうちの少なくとも1つを、インクジェット法を用いて、表示形状部X(所定の情報を表示する部分または所定のデザインを構成する部分)を有する形状に形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、第1の電極を形成する工程と、 該第1の電極上に、少なくとも一部が多孔質な電子輸送層を形成する工程と、 該電子輸送層と接触するよう色素層を形成する工程と、 該色素層と接触するよう正孔輸送層を形成する工程と、 該正孔輸送層上に、第2の電極を形成する工程とを有する光電変換素子の製造方法であって、 前記第1の電極、前記電子輸送層、前記色素層、前記正孔輸送層および前記第2の電極のうちの少なくとも1つを、インクジェット法を用いて、所定の情報を表示する部分または所定のデザインを構成する部分を有する形状に形成することを特徴とする光電変換素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01L31/04

FI (1件)：

H01L31/04 Z

Fターム (7件)：

5F051AA12 ,  5F051AA14 ,  5F051CB29 ,  5F051CB30 ,  5F051FA01 ,  5F051FA04 ,  5F051GA03