特許
J-GLOBAL ID：200903040492114704
SiN膜形成プラスチック基板およびそれを使用したMIM素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
友松 英爾 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-350693
公開番号（公開出願番号）：特開平6-175117
出願日： 1992年12月04日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、軽量、低コスト、膜ハガレ、クラックあるいは基板カールのないプラスチック基板(特に大面積プラスチック基板)およびそれを利用したMIM素子ならびに液晶表示装置の提供にある。【構成】 表面保護膜として、プラズマCVD法により形成したSiN膜を少なくとも片面に有するプラスチック基板において、SiN膜中のH含有率が2×1022cm-3以下であることを特徴とするプラスチック基板およびそれを利用したMIM素子ならびに液晶表示装置。
請求項（抜粋）：
表面保護膜として、プラズマCVD法により形成したSiN膜を少なくとも片面に有するプラスチック基板において、SiN膜中のH含有率が2×1022cm-3以下であることを特徴とするプラスチック基板。
IPC (3件)：
G02F 1/1333 500
, G02F 1/13 101
, G02F 1/136 510
