特許

J-GLOBAL ID：200903040494376420

炭素クラスター膜

発明者： 上羽 良信 ,  奥田 伸之 ,  大倉 健吾 ,  久貝 裕一
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 亀井 弘勝 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-277285
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211010
出願日： 1992年10月15日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：

【要約】【目的】 安定で、電導度が短期間に劣化するおそがなく、しかも、電導度が精密に制御された炭素クラスター膜を提供する。【構成】 炭素クラスターからなる薄膜に、イオン注入法によって不純物を注入した。

請求項（抜粋）：

π電子共役系を有する炭素クラスターからなる薄膜に、イオン注入法によって不純物を注入したことを特徴とする炭素クラスター膜。

IPC (6件)：

H01B 5/14 ,  C01B 31/02 ZAA ,  C01B 31/02 101 ,  H01B 1/04 ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 503