特許

J-GLOBAL ID：200903040494992776

絶縁ゲート半導体デバイスとその製造方法

発明者： ラクシュミカン・マミレット
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-038898
公開番号（公開出願番号）：特開平8-241987
出願日： 1996年01月31日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】【課題】 絶縁ゲート半導体デバイスとその製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁ゲート半導体デバイス10は、傾斜ドーパント分布を有するバッファ層13を有して形成される。傾斜ドーパント分布は、デバイス10の逆阻止電圧を改良する一方で、スイッチング速度を維持する。

請求項（抜粋）：

絶縁ゲート半導体デバイスであって:第1導電形の半導体層(11);前記第1導電形の半導体層(11)上に配置された傾斜ドーパント分布を有する第2導電形のバッファ層(13);前記バッファ層(13)上に配置された前記第2導電形の半導体層(14);前記第2導電形の半導体層(14)内に配置された前記第1導電形のドープ領域(16);および前記第1導電形のドープ領域(16)の一部の中に配置された前記第2導電形のドープ領域(17);によって構成されることを特徴とする絶縁ゲート半導体デバイス。