特許
J-GLOBAL ID:200903040495017963

ホウ素・炭素・窒素ナノチューブとその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-331409
公開番号(公開出願番号):特開2004-161571
出願日: 2002年11月14日
公開日(公表日): 2004年06月10日
要約:
【課題】有用な特性と安定した物性を有するホウ素・炭素・窒素を構成元素とするナノチューブを安価に大量に製造する。【解決手段】窒素ガスを通過させた硝酸第二鉄水溶液を温度1300°C〜1500°Cの温度域で流動しているカーボンブラック中に流入し、発生した一酸化炭素ガスを垂直式誘導炉に導入し、B4N3O2Hを1600°C〜1800°Cの温度域で分解させて気体状の酸化ホウ素を生成させ、引き続き、窒素及び一酸化炭素の雰囲気中において硝酸第二鉄を触媒として還元させ、ナノチューブの長さ方向に構成元素比率が異なる若しくは中心から半径方向に構成元素比率の異なる層が積層しているホウ素・炭素・窒素ナノチューブを製造する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
構成元素がホウ素、炭素及び窒素であるナノチューブであり、ナノチューブの長さ方向に構成元素比率が異なっていることを特徴とするホウ素・炭素・窒素ナノチューブ。
IPC (1件):
C01B21/082
FI (1件):
C01B21/082 K

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