特許
J-GLOBAL ID：200903040498687188
複合酸化物薄膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-203510
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053143
出願日： 1992年07月30日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】 膜質において優れた複合酸化物薄膜を形成するとともに下地の形状にかかわらず均一な膜厚を得ることができる製造方法を提供する。【構成】 シリコン酸化膜の上面に設けられるPZT薄膜28の製造方法において、CVD装置2を用いて、反応室内に流入したジイソプロポキシ鉛、テトラプロポキシチタン、テトライソプロポキシジルコニウムを水蒸気とともに加水重縮合反応により前駆体物質を生成させた後、前駆体物質を650°Cに加熱された基板上に堆積させ、結晶性PZT薄膜28を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体装置における複合酸化物薄膜の製造方法であって、希望の金属成分を有する複数のアルコキシドに対して気相中で加水分解・重縮合反応を起こさせ、前駆体物質を生成させた後、基板上面に前記前駆体物質を堆積させる、昇温により前記前駆体物質を熱分解させる、ことを特徴とする複合酸化物薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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