特許
J-GLOBAL ID：200903040509763035
半導体装置の製造治具の清浄化方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-124797
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326482
出願日： 1992年05月18日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】炭化珪素製治具からの重金属の外方拡散を防止し、シリコンウェーハの汚染を防止する。【構成】炭化珪素製拡散チューブ1をフッ酸系溶液で洗浄し表面の汚染物を除去したのち、乾燥する。次に酸化及び水素を含んだガス中で酸化処理を行い酸化珪素膜2を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造工程で用いる炭化珪素製治具の清浄化方法において、治具を洗浄したのち酸化し、治具の表面に酸化珪素膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造治具の清浄化方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
