特許

J-GLOBAL ID：200903040510432328

酸化物超電導体の接合方法

発明者： 藤岡 ひろみ ,  井上 貴之 ,  梶 源太郎
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-178227
公開番号（公開出願番号）：特開平7-097277
出願日： 1994年07月29日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：

【要約】【構成】例えば、Bi-Sr-Ca-Cu-O系等の少なくともCuを含有し、C軸方向への配向度が0.5以上の2つの酸化物超電導体の結晶の配向方向が同じである端面同士を当接し、この当接部に0.05ton/cm2 、500〜900°Cの温度で加圧加熱することにより酸化物超電導体同士を接合する。他の態様として、当接部を加圧する際にAgなどの延性金属を介在させるか、あるいは端面同士を酸化物超電導体の粉末を介して当接して加圧加熱処理をしたり、レーザー等により接合部を部分溶融させて接合する。【効果】接合部での超伝導特性の低下を防止し、大面積で且つ均質な超伝導特性を有する酸化物超電導構造体の作製が可能となる。

請求項（抜粋）：

少なくともCuを含有し、C軸方向への配向度が0.5以上の2つの酸化物超電導体の結晶の配向方向が同じである端面同士を当接し、該当接部に対して0.05ton/cm2 以上の圧力を付与しつつ、500〜900°Cの温度に加熱することにより前記酸化物超電導体同士を接合することを特徴とする酸化物超電導体の接合方法。

IPC (7件)：

C04B 37/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  C04B 35/45 ZAA ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA