半導体記憶装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-059381
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273215
出願日： 1994年03月29日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】本発明は、キャパシタの容量を下げることなく、接合耐圧が高くかつ接合リーク電流の小さい半導体記憶装置を提供することを目的とする。【構成】キャパシタ下部電極23Aを構成する立壁部分21Aを、キャパシタ下部電極23Aを構成するベース部分18Aの不純物濃度より大きくした不純物濃度の多結晶シリコンによって構成した。

請求項（抜粋）：

主表面に第1導電型の不純物領域を有する第2導電型の半導体基板、この半導体基板の主表面上にゲート電極を覆うように形成され、前記不純物領域にまで達する開口部を有する絶縁層、前記不純物領域及び絶縁層の表面上に接して形成された第1の部分と、この第1の部分の上に形成されるとともに不純物濃度が前記第1の部分の第1導電型の不純物濃度より大きい第1導電型の不純物を含む第2の部分とを有するキャパシタ下部電極、このキャパシタ下部電極の表面を覆うキャパシタ絶縁膜、並びに前記キャパシタ絶縁膜の表面を覆うキャパシタ上部電極を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8242 , H01L 27/108 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 325 C , H01L 27/04 C

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