特許

J-GLOBAL ID：200903040516451375

ランタンクロマイト緻密薄膜の形成方法

発明者： 樋渡 研一 ,  上野 晃 ,  相沢 正信
出願人/特許権者： 東陶機器株式会社
代理人 (1件)： 渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-099552
公開番号（公開出願番号）：特開平9-263961
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】 スラリーコート法によっても、緻密なランタンクロマイト薄膜を得るこのとできるランタンクロマイト緻密薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】 本発明のランタンクロマイト緻密薄膜の形成方法は、以下の工程を含む。?@粉砕・分級により、平均粒径1〜2μm のランタンクロマイト粉末(粗粉)、及び、平均粒径0.1〜1μm のランタンクロマイト粉末(微紛)を準備する工程、?A得られた粉末を、粗粉:微粉比(wt%)90:10〜50:50の割合で混合する工程、?B混合した粉末をバインダー・溶媒等と混合してスラリーを得る工程、?C多孔質セラミック基体上に該スラリーを適用してランタンクロマイト膜を得る工程、?D該ランタンクロマイト膜を焼成する工程。上記粗粉が膜の骨格をつくる役割を果たし、上記微粉が焼結助剤としての役割を果たす。

請求項（抜粋）：

多孔質セラミック基体上にランタンクロマイトからなる緻密薄膜を形成する方法であって;粉砕・分級により、平均粒径1〜2μm のランタンクロマイト粉末(粗粉)、及び、平均粒径0.1〜1μm のランタンクロマイト粉末(微紛)を準備する工程と、得られた粉末を、粗粉:微粉比(wt%)90:10〜50:50の割合で混合する工程と、混合した粉末をバインダー・溶媒等と混合してスラリーを得る工程と、多孔質セラミック基体上に該スラリーを適用してランタンクロマイト膜を得る工程と、該ランタンクロマイト膜を焼成する工程と、を含むことを特徴とするランタンクロマイト緻密薄膜の形成方法。

IPC (8件)：

C23C 24/08 ,  B32B 18/00 ,  C01G 37/14 ,  C04B 41/85 ,  H01M 4/86 ,  H01M 4/90 ,  H01M 8/02 ,  H01M 8/12

FI (9件)：

C23C 24/08 C ,  B32B 18/00 A ,  C01G 37/14 ,  C04B 41/85 C ,  H01M 4/86 U ,  H01M 4/90 X ,  H01M 8/02 E ,  H01M 8/02 Y ,  H01M 8/12

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 金属酸化物膜の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-118406   出願人：京セラ株式会社

審査官引用 (1件)

• 金属酸化物膜の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-118406   出願人：京セラ株式会社