特許
J-GLOBAL ID：200903040517373106
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-296074
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114559
出願日： 1991年11月12日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：
【要約】【目的】本発明は、透光性の被加工膜のパタ-ン加工の高精度化、高信頼性を実現できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】SiO2 膜4上に炭素膜5を形成する工程と、この炭素膜5上にフォトレジスト6を形成する工程と、このフォトレジスト6をパタ-ニングする工程と、このパタ-ニングされたフォトレジスト6をマスクとしてSiO2 膜4及び炭素膜5を選択エッチングする工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
光反射性膜上に透光性の被加工膜を形成する工程と、この被加工膜上に炭素膜を形成する工程と、この炭素膜上に感光性樹脂層を形成する工程と、この感光性樹脂層に所望のパタ-ンを露光し現像を行なうことにより、前記感光性樹脂層をパタ-ン加工する工程と、この感光性樹脂層をマスクとして前記炭素膜をエッチングする工程と、前記感光性樹脂層又は前記炭素膜をマスクとして前記被加工膜をエッチングする工程とを含み、前記炭素膜の膜厚dと、前記炭素膜の消衰係数kと、露光光の波長λとの関係を、0.17≦kd/λに設定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, H01L 21/302
