特許

J-GLOBAL ID：200903040518474062

絶縁膜形成方法

発明者： 宮崎 善久 ,  橋本 毅 ,  太田 与洋
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-309160
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144803
出願日： 1991年11月25日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、絶縁膜をCVD法で成膜後、その絶縁膜中に存在する炭素及び水素の量を減少させ、再現性のある絶縁膜を形成することを目的とする。【構成】 反応チャンバ(1)の内部には、オゾン供給装置(2)とTEOS供給装置(3)から送られてきた原料ガスを均一に分散させるディスパージョンヘッド(5)の上部にウェハ(6)を下向きに保持するサセプタ(7)が設けられている。この装置内でオゾンと有機シランを用い、CVD法により絶縁膜を形成した後、その絶縁膜をオゾン雰囲気中で、一定時間150〜250°Cに保持し、アニール処理を行う。ここで設定される温度150〜250°Cは、絶縁膜形成後の降温途中の温度である。上記の形成方法によれば、オゾンの分解によって発生した酸素原子により、絶縁膜中の炭素及び水素の量を減少させることができる。

請求項（抜粋）：

反応装置内で化学気相成長反応を行い、基板上に絶縁膜を形成した後、前記絶縁膜を、オゾン雰囲気中で一定時間、150〜250°Cに保持することを特徴とする絶縁膜形成方法。

IPC (9件)：

H01L 21/31 ,  B01J 19/00 ,  C23C 14/54 ,  C23C 16/56 ,  C30B 25/10 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/90 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31