特許

J-GLOBAL ID：200903040518752810

単結晶の製造方法

発明者： 奥井 正彦 ,  田中 忠美 ,  梅野 繁
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-200826
公開番号（公開出願番号）：特開平10-045493
出願日： 1996年07月30日
公開日（公表日）： 1998年02月17日
要約：

【要約】【課題】 イントリンシックゲッタリング処理を行う場合に酸素析出物の欠陥の発生を防止し得る単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 種結晶6を溶融液8の表面に接触させた後、引き上げ軸11を引き上げて直径が小さいネック9a,ショルダ9bを引き上げ、更にボディ9cを溶融液8の表面から高さTまで引き上げる。そして、300mm/分以上の切り離し速度で、溶融液8からの単結晶9の切り離し距離Lが20mm以上になるように、溶融液8から単結晶9を切り離すことによって、テイル絞り操作を行うことなく、無転位状態を維持して切り離し操作を行った後、単結晶9を5mm/分以上の速度で450°C未満の領域まで上昇させて、単結晶9を急冷する。

請求項（抜粋）：

シリコンの溶融液から引き上げた後に溶融液から切り離して単結晶を製造する方法において、溶融液上の550°Cを超える温度の雰囲気内で単結晶を引き上げる工程と、引き上げた単結晶を溶融液から切り離す工程と、切り離した単結晶を上昇させる工程とを備え、単結晶を溶融液から切り離す工程及び単結晶を上昇させる工程を通して、450〜550°Cの範囲の熱を単結晶に与えないように、又は450〜550°Cの範囲の熱が単結晶に与えられる時間を2時間未満にすることを特徴とする単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/00 ,  C30B 15/20

FI (3件)：

C30B 29/06 502 J ,  C30B 15/00 Z ,  C30B 15/20