特許

J-GLOBAL ID：200903040521113151

半導体集積回路装置

発明者： 高橋 次男 ,  新井 成浩
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-231967
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086491
出願日： 1993年09月17日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】 スイッチング時におけるグラウンドレベルの変動やノイズの放射を有効に防止することができる上に製造が容易な半導体集積回路装置を提供すること。【構成】 半導体集積回路チップ12の上面に、絶縁膜18が形成され、この絶縁膜18内に電源電極14に接続された電源領域20とグラウンド電極16に接続されたグラウンド領域22とがそれぞれ形成され、電源領域20とグラウンド領域22の間には、電源ノイズバイパス用のコンデンサ24、24を具備している。また、電源領域20とグラウンド領域22は、電源電極14及びグラウンド電極16から半導体集積回路チップ12の上面を略二分して覆うように幅広に形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路チップと、該半導体集積回路チップの周辺部にそれぞれ設けられた電源電極及びグラウンド電極と、該電源電極及びグラウンド電極間に接続された電源ノイズバイパス用のコンデンサとを有する半導体集積回路装置において、前記半導体集積回路チップの上面に絶縁膜を形成し、該絶縁膜上に前記電源電極に接続された電源領域と前記グラウンド電極に接続されたグラウンド領域とをそれぞれ形成し、前記電源領域と前記グラウンド領域の間に前記電源ノイズバイパス用のコンデンサを具備することを特徴とする半導体集積回路装置。