特許
J-GLOBAL ID：200903040531460003
半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中澤 昭彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-294286
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135717
出願日： 1997年10月27日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】入力バッファを静電気放電による破壊から保護することのでき、かつ、ゲートアレイやスタンダードセル等のセミカスタム集積回路に容易に適用することができる半導体集積回路を提供する。【解決手段】本発明の半導体集積回路は、入力回路部を備えたMOS型の半導体集積回路であって、入力回路部は、Nチャネルトランジスタと、Pチャネルトランジスタと、NチャネルトランジスタとPチャネルトランジスタとの間に接続された保護抵抗とを有し、Pチャネルトランジスタと保護抵抗との間に入力部が接続され、Nチャネルトランジスタと保護抵抗との間に出力部が接続される。
請求項（抜粋）：
入力回路部を備えたMOS型の半導体集積回路であって、前記入力回路部は、Nチャネルトランジスタと、Pチャネルトランジスタと、前記NチャネルトランジスタとPチャネルトランジスタとの間に接続された保護抵抗とを有し、前記Pチャネルトランジスタと前記保護抵抗との間に入力部が接続され、前記Nチャネルトランジスタと前記保護抵抗との間に出力部が接続される、ことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
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