ITO粉末の製造法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-260464
公開番号（公開出願番号）：特開2003-040620
出願日： 2001年07月25日
公開日（公表日）： 2003年02月13日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】導電膜形成用のやわらかい低抵抗ITO粉末を作成することと、スパッタリングのターゲット用の高密度ITO粉末(六方晶)の提供。【解決手段】湿式法により、ITO粉末の製造を行なう際に、インジウム塩:錫塩の水溶液のPHを1.5以下に調整して均一水溶液とし、中和温度域を70°C以上として、中和後その温度域で3時間以上熟成を行ない、水洗後の乾燥沈澱の焼成を水酸化物から酸化物への分解過程と、水素による還元過程とを連続して水素を2%以上含む混合ガス中で行なうことにより、超音波で容易に解砕できる導電膜形成用のやわらかい低抵抗ITO粉末(立方晶)製造法を提供するものである。また、中和中に乳化機を用いることにより、高温で分解する高密度の六方晶ITO粉末製造法である。

請求項（抜粋）：

湿式法により、ITOの水酸化物を沈澱させる際に、インジウム塩:錫塩の水溶液のPHを1.5〜0.2間に調整することを特徴とするITO粉末の製造法。

IPC (3件)：

C01G 19/00 , C04B 35/626 , C23C 14/34

FI (3件)：

C01G 19/00 A , C23C 14/34 A , C04B 35/00 A

Fターム (10件)：

4G030AA34 , 4G030AA39 , 4G030BA02 , 4G030BA15 , 4G030GA01 , 4K029BA45 , 4K029BA50 , 4K029BC09 , 4K029DC05 , 4K029DC09

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