特許
J-GLOBAL ID：200903040534292853
トンネル接合の作製方法及びトンネル接合素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高木 義輝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-390991
公開番号（公開出願番号）：特開2003-198007
出願日： 2001年12月25日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】【課題】 トンネル接合エッジ部分の絶縁不良の発生とコンタクトホール形成の不良の発生を解決し、歩留まりの良いトンネル接合素子の作製方法及びその方法を用いて作製したトンネル接合素子を提供する。【解決手段】 基板上に下部電極層/トンネルバリア層/上部電極層を含み積層したトンネル接合構造を有するトンネル接合素子の作製方法であって、露出しているトンネル接合エッジ部分等を陽極酸化して薄い陽極酸化層を形成するプロセスを導入し、コンタクトホール部分に選択的に陽極酸化保護及びエッチング保護を兼用する絶縁薄膜を形成するプロセスを設け、また、上部電極層の上面に陽極酸化保護及びエッチング保護を兼用する絶縁薄膜を形成するプロセスを設ける。
請求項（抜粋）：
基板上に下部電極層/トンネルバリア層/上部電極層を含み積層したトンネル接合構造を有するトンネル接合素子の作製方法であって、陽極酸化して薄い陽極酸化層を形成するプロセスを有し、該下部電極層の後工程で堆積する配線層とのコンタクトホール部分に選択的に陽極酸化保護及びエッチング保護を兼用する絶縁薄膜を設けるプロセスを有することを特徴とするトンネル接合素子の作製方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 43/12
, H01L 43/08 Z
