特許
J-GLOBAL ID：200903040535681187
スルホニウム塩及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-169631
公開番号（公開出願番号）：特開2000-212158
出願日： 1999年06月16日
公開日（公表日）： 2000年08月02日
要約：
【要約】【課題】半導体材料等に用いられる化学増幅形フォトレジストの光酸開示剤などに有用なスルホニウム塩とその製造方法を提供する。【解決手段】下記の一般式(化1)で示されるスルフィド化合物と、下記の一般式(化2)で示される無水パーフルオロスルホンを反応させて、下記一般式(化3)(ただし前記式1〜3において、R1 は水素原子、炭素原子数1〜20の直鎖状、側鎖状又は環状アルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、フェノキシ基、フェニル基、チオアルコキシ基又はチオフェノキシ基、R2 は炭素原子数1〜20の直鎖状、側鎖状又は環状アルキル基、アリール又はアリル基、nは0〜20の正の自然数をそれぞれ示す。)で示されるスルホニウム塩を合成する。【化1】【化2】【化3】
請求項（抜粋）：
下記の一般式(化1)で示されるスルホニウム塩。【化1】(ここで、R1 は水素原子、炭素原子数1〜20の直鎖状、側鎖状又は環状アルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、フェノキシ基、フェニル基、チオアルコキシ基又はチオフェノキシ基、R2 は炭素原子数1〜20の直鎖状、側鎖状又は環状アルキル基、アリール又はアリル基、nは0〜20の正の自然数をそれぞれ示す。)
IPC (4件)：
C07C381/12
, C08F 2/48
, G03F 7/004 503
, G03F 7/038 601
C07C381/12
, C08F 2/48
, G03F 7/004 503 A
, G03F 7/038 601
