特許

J-GLOBAL ID：200903040536711136

黒鉛坩堝

発明者： 村岡 正三 ,  木村 雅規 ,  飯野 栄一 ,  吉澤 健 ,  飯田 誠
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-221059
公開番号（公開出願番号）：特開2000-044381
出願日： 1998年07月21日
公開日（公表日）： 2000年02月15日
要約：

【要約】【課題】 大型の坩堝を用いて大量の原料を溶融する場合であっても、ヒーターの消費電力の増加等を抑制し、効率よく短時間で原料を溶融することができる黒鉛坩堝を提供する。【解決手段】 チョクラルスキー法によって単結晶を製造する際に用いられる黒鉛坩堝であって、該黒鉛坩堝の円筒部に複数の貫通孔が設けられており、該貫通孔の総面積は、黒鉛坩堝の円筒部外周面の面積の30〜60%である黒鉛坩堝。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法によって単結晶を製造する際に用いられる黒鉛坩堝であって、該黒鉛坩堝の円筒部に複数の貫通孔が設けられており、該貫通孔の総面積は、黒鉛坩堝の円筒部外周面の面積の30〜60%であることを特徴とする黒鉛坩堝。

IPC (2件)：

C30B 15/10 ,  C30B 29/06 502

FI (2件)：

C30B 15/10 ,  C30B 29/06 502 B

Fターム (7件)：

4G050FD11 ,  4G050FD12 ,  4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF00 ,  4G077EG01 ,  4G077EG02