半導体装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：伊丹勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-127106
公開番号（公開出願番号）：特開2001-325795
出願日： 2000年04月27日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】【課題】データ消去の単位となるブロックの集合である複数のコアを有し、任意のコアでのデータ書込み又は消去動作と、他の任意のコアでのデータ読出し動作との同時実行を可能としたフラッシュメモリを提供する。【解決手段】メモリセルアレイ1は、データ消去の単位となるメモリセル範囲を1ブロックとし、1乃至複数のブロックの集合を1コアとして複数コアが配列される。データ書き込み/消去を行うために任意個数のコアを選択するコア選択手段を備え、書込みコマンドに基づいて選択されたコア内の選択されたメモリセルにデータ書き込みを行い、消去コマンドに基づいて選択されたコア内の選択されたブロックのデータ消去を行う。コア選択手段により選択されたコアに対してデータ書込み/消去を行っている間に、選択されていないコア内のメモリセルに対してデータ読出しを可能とするフリーコア方式を実現した。

請求項（抜粋）：

電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルを有し、データ消去の単位となるメモリセルの範囲を1ブロックとし、1乃至複数のブロックの集合を1コアとして複数のコアが配列されたメモリセルアレイと、前記複数のコアのうちデータ書き込み又は消去を行うために任意個数のコアを選択するコア選択手段と、このコア選択手段により選択されたコア内の選択されたメモリセルにデータ書き込みを行うデータ書込み手段と、前記コア選択手段により選択されたコア内の選択されたブロックのデータ消去を行うデータ消去手段と、前記コア選択手段により選択されていないコア内のメモリセルに対してデータ読出しを行うデータ読み出し手段と、を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

G11C 16/06 , G11C 16/02

FI (4件)：

G11C 17/00 631 , G11C 17/00 611 A , G11C 17/00 612 B , G11C 17/00 612 F

Fターム (10件)：

5B025AA02 , 5B025AC01 , 5B025AD01 , 5B025AD04 , 5B025AD05 , 5B025AD06 , 5B025AD07 , 5B025AD08 , 5B025AD09 , 5B025AE00

引用特許：

審査官引用 (14件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-073452 出願人：三菱電機株式会社
読取り同時書込み操作のためのフラッシュ・メモリ分割
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-527946 出願人：インテル・コーポレーション
不揮発性半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-074778 出願人：株式会社東芝

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