特許
J-GLOBAL ID：200903040538787652
電圧制御発振器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-018538
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313527
出願日： 2001年01月26日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：
【要約】【課題】 発振周波数にかかわらず安定した十分に小さい位相雑音特性を有する電圧制御発振器を提供する。【解決手段】 P-MOSFETM1は、バイアス電圧により常にオンし、これに流れる電流に対応した電流Iccを増幅器3に供給する。制御電圧Vctrlが高い時には(発振周波数foscは高い)、P-MOSFETのM1のみをオンしM2はオフである。これにより電流雑音に起因する位相雑音の発生が抑制される。制御電圧Vctrlが低くなると(foscは低くなる)FETM2もオンし、増幅器3に流れる電流Iccは、FETM1とM2に流れる電流の和に対応する。これより、出力振幅が増大して位相雑音の発生が抑制される。
請求項（抜粋）：
正帰還構成を有し、インダクタと可変容量素子とからなるタンク手段における前記可変容量素子に供給される制御電圧の値に応じた周波数の発振信号を出力する増幅手段と、前記制御電圧により前記増幅手段に供給する動作電流を変化させる可変電流源手段とを具備し、前記可変電流源手段は、発振周波数が低くなるに従い、前記増幅手段に供給する前記動作電流を大きくし、発振周波数が高くなるに従い、前記増幅手段に供給する前記動作電流を小さくすることを特徴とする電圧制御発振器。
Fターム (18件)：
5J081AA02
, 5J081CC30
, 5J081DD03
, 5J081DD10
, 5J081DD24
, 5J081EE02
, 5J081EE03
, 5J081EE18
, 5J081FF10
, 5J081FF17
, 5J081FF18
, 5J081GG02
, 5J081KK01
, 5J081KK09
, 5J081KK22
, 5J081LL05
, 5J081MM01
, 5J081MM03
