特許

J-GLOBAL ID：200903040549568367

バンプ電極の形成方法

発明者： 庄司 吉邦 ,  佐藤 稔彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  岩手東芝エレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-084270
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291262
出願日： 1992年04月07日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 本発明は、バンプ電極を簡単なプロセスにより、信頼性の高い樹脂封止型半導体素子を提供する点。【構成】 ポリイミド層7をバンプ電極9を被覆後、その最上層が見えるまで等方性エッチングにより処理することによりバンプ電極の側部を完全に覆うことができて、信頼性向上することが可能である。

請求項（抜粋）：

半導体基板に絶縁物層を被覆する工程と,前記絶縁物層部分にパッド層を重ねる工程と,前記パッドを埋めるパッシベイション層を形成する工程と,前記パッドに接続しかつパッシベイション層を貫通する部分を備えるバンプ電極を形成する工程と,前記パッシベイション層に接するバンプ電極部分を覆うバリヤ金属層を設置する工程と,前記パッシベイション層の露出部分ならびにバンプ電極の側部を保護するポリイミド層を被着する工程とを具備することを特徴とするバンプ電極の形成方法

IPC (4件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/312 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (2件)：

H01L 21/92 F ,  H01L 23/30 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭54-103905
  
• 特開昭62-091704